多晶硅太陽(yáng)電池

多晶硅薄膜太陽(yáng)電池具有低成本、原材料豐富、無(wú)毒和可大面積生長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，有望取代傳統(tǒng)晶硅太陽(yáng)電池，是薄膜太陽(yáng)電池發(fā)展的重要方向。

商業(yè)多晶硅太陽(yáng)電池光電轉(zhuǎn)化效率一般在17%左右，實(shí)驗(yàn)室效率甚至可以達(dá)到20%以上。多晶硅在力學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)和熱學(xué)性質(zhì)的各向異性方面，遠(yuǎn)不如單晶硅，但兩者在化學(xué)性質(zhì)方面差異極小。多晶硅薄膜具有較好的光吸收性能，約40微米厚的多晶硅薄膜即可吸收80%太陽(yáng)光，而晶體硅太陽(yáng)電池則至少需要250微米厚的硅片才能吸收相同數(shù)量的太陽(yáng)光，因而多晶硅薄膜太陽(yáng)電池相對(duì)于晶體硅太陽(yáng)電池原料的需要量明顯降低，從而降低硅太陽(yáng)電池的生產(chǎn)成本。多晶硅太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)主要包括正面玻璃、減反射膜、正面梳狀電極、多晶硅電池片和背面電極等。多晶硅太陽(yáng)電池的制備工藝主要如下：多晶硅錠經(jīng)熔化、澆筑、定向生長(zhǎng)而成，這種硅錠可鑄成立方體。將多晶硅鑄錠經(jīng)過(guò)破錠機(jī)和多線切片機(jī)切割成厚度為150～300微米的方片再制成多晶硅電池片，所以多晶硅太陽(yáng)電池一般都是方形的。多晶硅片先經(jīng)過(guò)拋磨、清洗和制絨等工序，后經(jīng)摻雜和擴(kuò)散（一般摻雜物為微量的硼、磷等），形成p-n結(jié)，然后采用絲網(wǎng)印刷法，將配好的銀漿印在硅片上做成柵線，再經(jīng)過(guò)燒結(jié)，制成背電極，并在有柵線的一面涂覆減反射膜，以防大量的太陽(yáng)光被光滑的硅片表面反射掉。至此，多晶硅太陽(yáng)電池片就制成了。多晶硅太陽(yáng)電池片經(jīng)過(guò)抽查檢驗(yàn)，用串聯(lián)和并聯(lián)的方法構(gòu)成具有一定的輸出電壓和電流的基本單元，最后用框架和封裝材料進(jìn)行封裝，即可按所需要的規(guī)格組裝成多晶硅太陽(yáng)電池組件。